S2055 Color TV horizontal output transistor von Toshiba Besonderheiten: Parallel zur Collector- Emitter Strecke des NPN Transistors liegt eine Leisungsdiode mit Anode am Emitter. Parallel zur Basis- Emitter Strecke liegt ein 50 Ohm Widerstand. Die Anschlüsse von links nach rechts, wenn Loch oben und Kühlfläche hinten: Basis - Collector - Emitter S2055 applications Maximum Ratings : Vces = 1500 V Vebo = 5 V Ic = 5 A Ic peak = 7.5 A Ib peak = 4 A Ptot = 12.5 W Tj = Tstg = -65 to 115 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : 1.6 grdC./W Characteristics : DC Current Gain at Vce=5V, Ic=4.5A : min 2.25 Vce(sat) at Ic=4.5A, Ib=2A : max 5 V, Type suffix A : max 1 V Vbe(sat) at Ic=4.5A, Ib=2A : max 1.5 V Forward Diode Vf at If=5A : typ 1.4V, max 2 V Transition Frequ. at Vce=5V, Ic=0.1A : typ 7 MHz Cob at Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz : typ 125 pF Times at Icm=4.5A, Ib(end)=1.8 A : Fall Time : typ 0.7 us Storage Time: typ 10 us ______________________________________
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______________________________________ SBL2040PT Schottky Rectifier from GENERAL INSTRUMENTS databook 1992: Anode - Common Cathode - Anode Cross Reference : FUJI ESA83-004 Maximum Ratings : Max Recurrent Peak Reverse Voltage : 40 V Max RMS Voltage : 28 V Max DC Blocking Voltage : 40 V Max Average Forward Rectified Current at 105 grdC.: 20 A above 105 grdC. derating to 0 A at 130 grdC (From a diagram) Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load: 250 A From a diagram: for 10 cycles(60Hz) 120 A, for 100 cycles 40 A Top = Tstg = -40 to 125 grdC. Thermal Resistance Junction to Case per element : 1.5 grdC./W Characteristics per element: Vf at If=8A : max 0.55 V Ir at Vr=40V, 25 grdC.: max 1 mA at 100 grdC.: max 50 mA From a diagram: Capacitance at Vr=0.5V : typ 2000 pF ______________________________________
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______________________________________ SD1078 NPN HF SSB Power Transistor from a THOMSON-CSF datasheet Absolute Maximum Ratings : Vcbo = 65 V Vceo = 36 V Vebo = 4 V Ic = 15 A Ptot = 220 W Tj = 200 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: 0.8 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Ices at Vce=30V, Vbe=0 : max 20 mA h FE at Vce=5V, Ic=5A : min 10, typ 50 Po at Vce=28V, f=30 MHz : min 80 W Pg at ... : min 15 dB, typ 16 dB IMD at Vce=28V, Ic quiet=75 mA, Po=80W, 30 MHz : typ -32 dB, max -28 dB Cob at Vcb=28V, Ie=0, f=1MHz : typ 200 pF ''withstands severe mismatch'' ______________________________________
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______________________________________ SD1127 NPN VHF Power Transistor in TO39 case SGS-Thomson 1989 Attention: With this typenumber there is a N- channel DMOSFET by TOPAZ too!! Gut daß Du ausdrücklich nach dem HF-Ts SD1127 fragst, denn ich habe in meiner Sammlung auch ein Datenblatt von TOPAZ von einem N- Kanal D-MOSFET im TO92 Gehäuse mit exakt derselben Typnummer! Der HF-Ts im TO39- Gehäuse ist von SGS-Thomson von 1989. Übliche Beinchenbelegung Emitter-Basis-Collector auf der Abbildung, im Text steht aber grounded emitter. Motorola- Typen, die ich kenne, drehen dann aber die Anordnung um, weil handelsübliche Gehäuse immer das von der Nase am weitesten entfernte Beinchen mit dem Deckel verbinden. Wahrscheinlich ist dort dann der Emitter. Mit Ohmmeter im hochohm-Meßbereich testen!(Niederohmige oder Leitungssucher können Ts gefährden) Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 30 V Vceo = 18 V Vebo = 4 V Ic = 640 mA Ptot = 8 W (Case = 25 grdC:) Storage and Junction Temp.: -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: 22 grdC./W Characteristics: h FE at Vce=5V, Ic=50mA: min 5 Pout at f=175MHz, Vce=12.5V : min 4 W ( aus einem Diagramm: 4 W bei Pin=0.25 W, 0,1W gibt 2.5W, 0,4W gibt 4,8W ) Gp (dieselben Bedingungen): min 10 dB, typ 12 dB Cob = max 20 pF Testschaltung ist die übliche, relativ schmalbandige Anpass- Schaltung mit Induktivitäten an Basis und Colector (T-Glieder). ______________________________________
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______________________________________ SD1219 VHF Power Transistor von SGS- Thomson Gehäuse: Die Anschlußfahne mit der schrägen Ecke ist Collector. Gegenüber ist Basis, und die anderen beiden sind Emitter. Collector cutted, opposite Base, the 2 others: Emitter Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 65 V Vceo = 35 V Vebo = 4 V Ic = 6.5 A Ptot = 75 W Junction Temp = 200 grdC Thermal Resistance Junction to Case: 2.3 grdC/W Characteristics: DC Current Gain at Vce=5V, Ic=500mA: h FE = min 5 Output Power at Vce=28V, f=150MHz: min 60 W Power Gain at Vce=28V, f=150MHz: min 7 dB Output capacity at Vcb=30V: max 80 pF Input capacity at Veb=0,5V: typ. 450 pF Im Datenblatt des Nachfolgetyps SD1219-5 gibt es noch einige Diagramme und eine Testschaltung, die sich aber wegen spezieller Bauteile nicht nachbauen läßt. ______________________________________
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SD1229-1 VHF Power Transistor
SGS-THOMSON 1989,
The triangle cutted lead is Collector, opposite Base.
Absolute maximum Ratings at 25 grdC.:
Vcbo : 36 V
Vceo : 25 V
Vces : 36 V
Vebo : 4 V
Ic : 4 A
Ptot : 65 W
Tj : 200 grdC.
Tstg : -65 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : typ 2.7 grdC./W
Characteristics at 25 grdC.:
Po at f=175MHz, Vce=12.5 V : min 25 W
Gp at f=175MHz, Vce=12.5 V : min 5 dB
Cob at f=1MHz, Vcb=15V, Ie=0: max 120 pF
Impedances at Vcc=12.5V,Pin=7W:
at f=150MHz, Pout=30.5W :
Zs = 1.58 + j 0.65 Ohm
Zcl = 2.87 + j 1.83 Ohm
at f=175MHz, Pout=26W :
Zs = 1 + j 1.83 Ohm
Zcl = 2.89 + j 4.1 Ohm
From a diagram Pout vs. Pin:
f=136MHz : 25W at 4W, 30.5W at 6W, 34.5W at 8W, 36W at 10W;
f=160MHz : 22W at 4W, 27W at 6W, 31.5W at 8W, 33.5W at 10W;
f=175MHz : 19.5W at 4W, 24W at 6W, 28W at 8W, 30.5W at 10W.
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______________________________________ SD1409 NPN Microwave Class C Ampl. The Collector has the triangle cut, the Base is opposite. Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 36 V Vceo = 16 V Vebo = 4 V Ic = 0.6 A Ptot = 8.75 W Junction Temp = 200 grdC Thermal Resistance Junction to Case: 20 grdC./W Characteristics: DC Current Gain at Vce=5V, Ic=100mA: h FE = min 10 Output Power at Vce=12.5V, f=870 MHz: min 2 W Gain at the same conds.: min 8 dB Cob at Vcb=12.5V: typ 7.5 pF pF Source Impedance at Pout=2W, Vcc=12.5V : 806 MHz : 2.8 - j 13 Ohm 836 MHz : 3.0 - j 13 Ohm 866 MHz : 3.0 - j 14 Ohm Collector Load Impedance at the same conds.: 806 MHz : 8.8 + j 9 Ohm 836 MHz : 8.0 + j 9.9 Ohm 866 MHz : 6.6 + j 4.3 Ohm From a diagram for 860 to 900 MHz : Pout / Pin = 0.9W / 0.1 W ; 1.8W / 0.2W ; 2.5W / 0.3W ; 3.1W / 0.4W ______________________________________
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______________________________________ SD1545 Microwave Power NPN Transistor for Class C Das SGS-THOMSON Datenblatt von 1989 hat nur wenige Daten: Collector schräge Kante, gegenüber Basis, andere beiden Emitter. Collector cutted, opposite Base, the 2 others: Emitter Absolute Maximum Ratings: Vcbo = 50 V Vceo = 30 V Vebo = 3.5 V Ic = 0.5 A Ptot = 16 W Tj = Tstg = -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : 10.9 grdC./W Characteristics at 25 grdC.: Static Current Gain at Vce=5V, Ic=50mA : min 20, max 250 For Test at Vce=28V, f=2GHz: Po = min 2.5 W Gp = min 5 dB Cob at Vce=28V, Ie=0, f=1MHz : max 5 pF Das ist schon alles, mehr als mager. Keine Kennlinien, keine S-Parameter, nicht einmal eine Testschaltung. So ist also auch die Angabe 2,5W auf 2 GHz eigentlich Makulatur! ______________________________________
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______________________________________ SD241P Dual Schottky Rectifier General Instrument databook 1992 Äußere Pins: Anoden Mittlerer Pin: gemeinsame Kathode, also der + Ausgang zum Ladekondensator. Pins: Anode1 - Cathode - Anode2 Maximum Ratings : Peak Reverse Voltage : 45 V Blocking Voltage at 25 grdC.: 45 V Working Peak Reverse Voltage : 35 V Forward Rectified Current, average at Tc=105 grdC.: 30 A above 105 grdC. derating to 0 at 150 grdC. Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sinewave : 400 A Peak Repetitive Reverse Surge Current, 2 us pulse, 1 kHz : 2 A Voltage Rate of Change at Vr=35V : max 1000 V/us Tj = 150 grdC. Tstg = -65 to 175 grdC. Thermal Resistance Junction to Case : max 1.4 grdC./W Characteristics ( per leg) : Forward Voltage at Tc=125 grdC., pulsed 300us: at If=10 A : max 0.47 V at If=20 A : max 0.6 V Reverse Current at Vr=35V: at Tc=25 grdC.: max 1 mA at Tc=125 grdC : max 100 mA From a diagram: Typical Junction Capacitance per leg: At Vr=0.1 V : 3000 pF Vr= 1 V : 1600 pF Vr= 10V : 800 pF Vr= 35V : 450 pF ______________________________________
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SD400 N-Channel Enhancement Mode DMOS FET
CALOGIC databook 1992
TO 92 Case: Bottom View:
_______
| S G D |
\_____/
Zenerdiode Source nach Gate
Absolute Maximum Ratings :
Vds = 30 V
Vgs = Vdg = -0.3...20V
Vsd = - 0.3 V (gemeint ist wohl +0.3V, oder -0.3V für Vds,
aber auch das ist unüblich.) 1)
Id = 50 mA
P at 25 grdC.: 300 mW, derating 3 mW/grdC.
Tj = Top = -40 to 125 grdC.
Characteristics :
Id(on) at Vds=10V, Vgs=10V, pulse test : min 50 mA, typ 100 mA
Gate Source Threshold Voltage at Vds=Vgs, Id=1uA :
min 0.7 V, max 1.5 V
Rds(on) at Id=1mA, Vgs=2.4V : typ 150 Ohm, max 250 Ohm
Rds(on) at Id=1mA, Vgs=4.5V : min 60 Ohm, max 80 Ohm
Common Source Forward Transconductance at Id=20mA,Vds=10V :
min 8 mS, typ 12 mS
Common Source Capacitances at Vds=10V, Vgs=0, 1 MHz :
Input : typ 4 pF, max 5 pF
Output: typ 1.8 pF, max 2.5 pF
Reverse Transfer : typ 0.3 pF, max 0.5 pF
Times at Vdd=10V, Load=680 Ohm, Gen = 51 Ohm, Vg(on)=10V :
Turn On Delay : typ 0.7 ns, max 1 ns
Rise : typ 0.8 ns, max 1 ns
Turn Off : typ 12 ns
1) Ich habe mal geschaut, wie es bei anderen CALOGIC FETs
aussieht. Nur bei einem habe ich dasselbe gefunden. Es scheint
also kein Druckfehler zu sein, aber wohl nur für diese winzigen
schnellen Chips zu gelten.
Hersteller von größeren MOSFETs haben die Substrat-Drain Diode
ja meistens speziell spezifiziert. Hier legt der Hersteller aber
wohl Wert darauf, daß über diese Strecke nie ein Strom fließen
soll. Bei induktiver Belastung müßte man als externe Schutzdiode
also vorsichthalber eine Schottkydiode nehmen!
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______________________________________ SE5055 NPN RF Transistor Aus einem Datenbuch von National Semiconductor 1982. Dort muß man sich die Daten aus verschiedenen Tabellen zusammensuchen: Gehäuse TO72 Ich finde nicht eindeutig, ob Nase-E-B-C oder Nase-B-E-C. Letzteres ist wahrscheinlicher, zumal es ein ZF- Verstärker- Transistor ist. Eine TO92- Variante mit dem Typ MPSH32 hat die B-E-C Anordnung. Maximum Ratings: Vcbo = 20 V Vceo = 20 V Vebo = 3 V Pd = 300 mW, derating auf 0 bei 135 grdC. (von einem Diagramm) keine Angaben über Temperaturbereich! Characteristics: Icbo at Vcb=20V : max 50 nA DC Current Gain h FE at Vce=10V, Ic=2mA: min 20, max 220 Vse(sat) at Ic=10mA : max 2.75 V Cre at Vce=10V, Ie=0: max 0.22pF Transit Frequency at Ic=2mA . min 300 MHz Noise Figure at 45 MHz : max 5 dB Im Anhang bei Processdaten finde ich noch genauere Betriebswerte: Für 45 MHz, Vce=10V, Ic=3mA, Rg=50 Ohm: Pg : min 27 dB, typ 30 dB NF : typ 2.8 dB, max 5 dB AGC bei Vcc=12 V, Emitterwiderst=390 Ohm, Basis zu Vagc 2.2 kOhm an B und C abgestimmte, an 50 Ohm angepasste 45 MHz Schwingkreise: Vagc für 30 dB Gain Reduction : min 3.8 V, max 5.1 V für 50 dB : typ 6.8V, max 8.5V ______________________________________
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______________________________________ SES5001 Glass Diode manufactured by UNITRODE 1980. Absolute Maximum Ratings : Peak Inverse Voltage : 50 V Max. Average DC Output Current at Tl=75grdC., L=3/8'' : 2 A Non repetitive Surge Current at 8.3 ms : 35 A Op and Storage Temp.: -55 to 175 grdC. Specifications : Maximum Forward Voltage at 1 A, 25grdC.: 0.975 V at 100grdC. : 0.875 V Maximum Reverse Current at 50V, 25 grdC.: 2 uA at 100grdC. : 50 uA Maximum Reverse Recovery Time at If=0.5A, Ir=1A, I REC = 0.25 A : 100 ns ______________________________________
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______________________________________ SFH291 Silicon Planar Fotodiode from the Siemens databook 1991, german language Metal Case : Anode near the nose. Radiation sensitive area : 2.73 mm x 2.73 mm. Maximum Ratings : Vr = 10 V Ptot = 250 mW Tj = Tstg = -40... 80 GrdC. Characteristics : Dark Current at Vr=5 V : typ 0.3 nA, max 1 nA Sensitivity at Vr=5V : typ 50 nA/lx Wavelength of max. sensitivity : 850 nm Spectral sensitivity at 350nm : typ 0.2 A/W Open Loop Voltage at 1000 lx : typ 420 mV Short Circuit Current at 1000 lx : typ 50 uA at 0.2 mW/squarecm, 350nm : min 2 uA, typ 3 uA Rise Time and Fall Time at 850nm, RL=1 kOhm, Ip=50uA, Vr=5 : typ 3 us Capacitance at 0 lx, Vr=0, f=1MHz: typ 600 pF Noise equiv. rad.Power at Vr=5V, 350nm (NEP): typ 4.9 x 10exp-14 W/squareroot(Hz) From a diagram Spectral Sensitivity vs. Wavelength: 25% at 300nm, 55% at 400nm, 63% at 500nm, 100% at 850nm, 55% at 1000nm, 10% at 1100nm ______________________________________
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______________________________________ SFH463 GaAlAs red LED from the SIEMENS databook 1991 Cathode near the nose Maximum Ratings : Vr = 3 V If = 50 mA I peak 10us : 1A Ptot = 120 mW Tj = 100 grdC. Top = -40... 80 grdC Thermal Resistance Junction to Case : 160 grdC./W Characteristics : Forward Voltage at If=50mA, tp=20ms : typ 2V, max 2.4 V Wavelenght at If=50mA : 665 +/-20 nm Angle : +/- 23 grad t on = t off at If=50mA, Rl=50 Ohm : typ 100 ns for 10% to 90% Capacitance at Vr=0, f=1MHz : typ 30 pF Ie for optical ax. at 0.01sr, If=50mA, tp=20ms : SFH463-G : min 0.16 mW/sr, max 0.32 mW/sr SFH463-H : min 0.25 mW/sr, max 0.5 mW/sr SFH463-J : min 0.4 mW/sr, max 0.8 mW/sr ______________________________________
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______________________________________ SGSD 00034 NPN High Voltage Fast Switching Power Transistor in TO3 Case Absolute Maximum Ratings: Vcer = 1000 V (Rbe = 10 Ohm ) Vces = 1000 V Vcex = 1000 V ( Vbe = 2.5 V ) Vceo = 450 V ( Ie= 0 ) Vebo = 7 V ( Ic = 0 ) Ic = 12 A Ic peak = 20 A ( tp < 5 ms ) Ib = 4 A Ib peak = 10 A ( tp < 5 ms ) Ptot = 175 W Junction Temp.: 200 grdC. Storage Temp.: -65 to 200 grdC. Thermal Resistance Junction Case : max 1 grdC./W Characteristics at 25 grdC., Pulses 300us, duty cycle 1.5 % : Vce(sat) at Ic=8A, Ib=1.6A : max 1.5 V Vbe(sat) at Ic=8A, Ib=1.6A : max 1.6 V DC Current Gain at Ic=1A, Vce=5V : 15 < h FE < 60 Times at resistive Load, Ic=10A, Ib1 = -Ib2 = 2A, Vcc=150V [1)]: Turn On : typ 0.6 us, max 1 us Storage : typ 1.1 us, max 2.2 us Fall : typ 0.25us, max 0.5 us Times at inductive load, Ic=10A,Vcc=150V, L=200uH, Bve(off)=-5V, h FE = 5 [2)]: Storage : typ 0.7 us, max 1.2 us Fall : typ 0.04us, max 0.1 us From the diagram Safe Operating Area, Knee- Points Ic / Vce for single non repititive pulse: 10ms : 20A / 18V ; 7 A / 50V ; 60mA / 450V 1 ms : 20A / 80V ; 12A / 140V; 0.8A / 450V 10 us : 20A until 450V 1) The Datasheet has no Test Circuit for resistive Load. Rl=? 2) For the Test there is a Diode in parallel to the inductive load, anode at the collector- side. ______________________________________
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SGSP239 N- Channel Power MOSFET
From an advanced SGS datasheet 1985 :
SOT-82, Gate, Drain and tab, Source
Absolute Maximum Ratings :
Vds = 500 V
Vdgr at Rgs=20 kOhm : 500 V
Vgs = +/- 20 V
Id continuous at 25 grdC : 1.2 A
at 100 grdC. : 0.8 A
Source Drain Diode : 1.2 A
Id pulsed : 4.8 A
Source Drain Diode : 4.8 A 3)
Id inductive current, clamped : 4.8 A 2)
Ptot = 40 W
derating 0.32 W/grdC.
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 3.12 grdC./W
Characteristics :
Gate Threshold Voltage at Id=250uA : min 2V, max 4V
Vds ( on ) at Vgs=10V, Id=0.6A : max 5,1 V
Rds ( on ) at Vgs=10V, Id=0.6A : max 8.5 Ohm
Forward Transconductance at Vds=25V, Id=0.6 A : min 0.85 mho
Capacitances at Vds=25V, Vgs=0, f=1MHz :
Input : typ 180 pF, max 250 pF
Output : max 45 pF
Reverse Transfer : max 25 pF
Times at Vcc=25V, Id=0.6A, Vi=10V, Ri=50 Ohm: 1)
Turn on : typ 60 ns
Rise : typ 60 ns
Turn off delay: typ 60 ns
Fall : typ 80 ns
Source Drain Diode:
Forward Voltage at Isd=1.2 A, Vgs=0 : max 1.2 V
Turn on time at Isd=1.2 A, Vgs=0, dI/dt=25 A/us : typ 100 ns
Reverse recovery time at the same conds. : typ 70 ns
1) I don't find the value for the Load Resistance of the test circuit.
2) Inductivity 100uH from the test circuit, pulse width adjusted to
obtain specified Idm.
3) „Pulse width limited by safe operating area“. But there is no SOA-
Diagram in the datasheet!
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SGSP471 N- Channel Power MOSFET
From a SGS datasheet 1985.
SOT-93, Gate, Drain = tab, Source
Absolute Maximum Ratings :
Vds = 100 V
Vdgr at Rgs=20 kOhm : 100 V
Vgs = +/- 20 V
Id continuous at 25 grdC : 30 A
at 100 grdC. : 19 A
Source Drain Diode : 30 A
Id pulsed : 120 A
Source Drain Diode : 120 A
Id inductive current with 100uH, clamped : 120 A
Ptot = 150 W
derating 1.2 W/grdC.
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 0.83 grdC./W
Characteristics :
Gate Threshold Voltage at Id=250uA : min 2V, max 4V
Vds ( on ) at Vgs=10V, Id=30A : max 2.4 V
Rds ( on ) at Vgs=10V, Id=15A : max 0.075 Ohm
Forward Transconductance at Vds=25V, Id=15 A : min 9 S
Capacitances at Vds=25V, Vgs=0, f=1MHz :
Input : typ 1800 pF, max 2200 pF
Output : max 810 pF
Reverse Transfer : max 375 pF
Times at Vcc=50V, Id=15A, Vi=10V, Ri=4.7 Ohm:
Turn on : typ 30 ns
Rise : typ 60 ns
Turn off delay: typ 80 ns
Fall : typ 30 ns
Source Drain Diode:
Forward Voltage at Isd=30 A, Vgs=0 : max 1.35 V
Turn on time at Isd=30 A, Vgs=0, dI/dt=100 A/us : typ 500 ns
Reverse recovery time at the same conds. : typ 1000 ns
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SGSP478 N- Channel Power MOSFET
From a SGS datasheet 1985.
SOT-93, Gate, Drain = tab, Source
Absolute Maximum Ratings :
Vds = 550 V
Vdgr at Rgs=20 kOhm : 550 V
Vgs = +/- 20 V
Id continuous at 25 grdC : 10 A
at 100 grdC.: 6.3 A
Source Drain Diode : 10 A
Id pulsed : 40 A
Source Drain Diode : 40 A
Id inductive current with 100uH, clamped : 40 A
Ptot = 150 W
derating 1.2 W/grdC.
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 0.83 grdC./W
Characteristics :
Gate Threshold Voltage at Id=250uA : min 2V, max 4V
Vds ( on ) at Vgs=10V, Id=5A : max 6 V
Rds ( on ) at Vgs=10V, Id=5A : max 1.2 Ohm
Forward Transconductance at Vds=25V, Id=15 A : min 5 S
Capacitances at Vds=25V, Vgs=0, f=1MHz :
Input : typ 1600 pF, max 1900 pF
Output : max 350 pF
Reverse Transfer : max 250 pF
Times at Vcc=250V, Id=5A, Vi=10V, Ri=410 Ohm:
Turn on : typ 25 ns
Rise : typ 10 ns
Turn off delay: typ 80 ns
Fall : typ 20 ns
Source Drain Diode:
Forward Voltage at Isd=10 A, Vgs=0 : max 1.15 V
Turn on time at Isd=10 A, Vgs=0, dI/dt=100 A/us : typ 75 ns
Reverse recovery time at the same conds. : typ 500 ns
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SKC10A75 NPN Power Transistor
from an old SEMIKRON datasheet, 1975
TO3 case, bottom view, case = collector:
E
O O
B
Limiting Values:
Vcbo = 750 V
Vceo = 400 V
Vcex at Vbe=-2.5V : 750 V
Vebo = 7 V
Ic = 10 A
Icm = 20 A
Ib = 4 A
Ibm = 8 A
Ptot = 100W, derating above 25 grdC. to 0 at 150 grdC.
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : 1.25 grdC./W
Characteristics at 25 grdC.:
DC Current Gain at Ic=5A, Vce=2V : min 15, typ 20
at Ic=10A : min 8, typ 10
Vce(sat) at Ic=5A, Ib=0.5 A : typ 0.4 V, max 0.7 V
Vbe(sat) at Ic=5A, Ib=0.5 A : typ 1 V , max 1.5 V
Transit Frequency at Vce=10V, Ic=1A : typ 20 MHz
Times at Ic=5A,Ib1=Ib2=1A, Vbb2=4V, Rload=5 Ohm:
Delay + Rise : typ 0.7 us, max 1 us
Storage : typ 2.4 us, max 3 us
Fall : typ 0.5 us, max 0.7 us
Safe Operating Area:
For 10ms Pulses:
20A until 20V, knee at 9A/40V, 0.2A/200V, 0.1A/400V
For 1ms Pulses: 20A until 50V, knee at 10A/100V, 0.2A/400V
For 0.1ms Pulses:20A until 140V,knee at 12A/240V, 3A/400V
For 10us Pulses : 20A until 400V
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SMBT3904 NPN Transistor
SIEMENS
I think this is the SMD-version of the popular 2N3904.
SOT 23, top view
Coll.
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Base Emitter
Maximum Ratings:
Vceo = 40 V
Vcbo = 60 V
Vebo = 6 V
Ic = 200 mA
Pd = 330 mW
Tjunction = 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Al2O3-Substrate: max 375grdC./W
Characteristics:
DC Current Gain at Ic=100mA: min 30
at Ic=10mA: min 100, max 300
Saturat.Volt. at Ic=50mA,Ib=5mA: Icesat = max 0.3 V
Transit Frequ. at Ic=10mA, Vce=20V : min 300 MHz
Output Capacity at Vcb=5V : max 4 pF
Input Cap. at Veb=0.5V : max 8 pF
Noise Figure at Ic=0.1mA, Rs=1kOhm,f=1kHz: max 5 dB
Times at Vc=3V,Rl=275Ohm,Cl=0pF,Ic=10mA,Ib1=Ib2=1mA,Rb=10kOhm,
Vbe(off)=0.5V:
ON-Delay: max 35 ns
Rise : max 35 ns
OFF-Delay(Storage) : max 200ns
Fall : max 50 ns
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______________________________________ SMD10P05 P-Channel Enhancement Mode Transistor im SMD- Gehäuse. Achtung: Hier fehlt das mittlere Anschlußbeinchen. Drain liegt hier nur an der Metallfläche. Links ist Gate, wenn die Beinchen zu ihnen zeigen und die Metallfläche unten ist. Rechts ist das Source - Beinchen. (Es gibt auch eine Version mit 3 langen Beinchen: SMU 10P05 ) Absolute Maximum Ratings: Vds = 50 V Vgs = +/- 20 V Id = 2 A (at 25 grdC.) Id = 1.3 A (at 100grdC.) Id pulsed = 16 A Pd = 40 W (Case = 25grdC.) Operating Junction Temp.: -55 to 150 grdC. Thermal Resistance Junction to Case: max 3 grdC./W Characteristics: Idss at 40V: max 25 uA On State Drain Current at Vds=5V, Vgs=10V: min 10 A Drain Source ON Resistance at Vgs=10V, Id=5A: max 0.28 Ohm Forward Transconductance at Vds=15V,Id=5A : min 1 S Input Capacitance at Vgs=0, Vds=25V: typ 530 pF Output Cap. at.... : typ 325 pF Reverse Cap. at ...: typ 85 pF Times at Vd = 30V,Rl=3Ohm,Id=10A,Vgen=10V,Rgen=25Ohm: Turn on Delay: max 30 ns Rise : max 95 ns Turn off Delay :max 90ns Fall : max 75 ns Antparallel Source-Drain Diode: Vsd at If = 2 A, Vgs=0 : max 2.3 V Reverse Recovery Time at If=2A, dIf/dt = 100A/us : typ 70 ns Über die erlaubte Löttemperatur habe ich leider nichts gefunden. Das war noch nicht so einheitlich wie heute. Ich würde ein niedrig schmelzendes Lot empfehlen, um eine gute Verbindung ohne Gefährdung des Chips zu erreichen. Denn die Lötung dient ja auch zur Wärmeabfuhr. Wenn sich hier Spalten bilden, ist es schlechter als fehlende Wärme- leitpaste beim TO220- Gehäuse. Für die Beinchen habe ich gefunden: max 300grdC. für max 10sec im Abstand von 1/18 Zoll vom Gehäuse. ______________________________________
Alle Angaben ohne Garantie. Fehler beim Abschreiben sind möglich. Wenn Sie seltsame Werte entdecken, scheuen Sie sich nicht, per email nachzufragen!
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SMP60N06 N- Channel Power MOSFET
from a SILICONIX datasheet.
TO220 case : Gate - Drain - Source
Absolute Maximum Ratings at 25 grdC.:
Vds (breakdown) = 60 V
Vgs = +/- 20 V
Id = 60 A ( at 100grdC.: 38 A )
Id pulsed = 240 A
Pd = 125 W (at 100grdC.: 50 W )
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 1 grdC./W
Characteristics :
Gate Threshold Voltage at Id=1mA : min 2 V, max 4 V
Idss = max 250uA
On State Drain Current at Vds=25V, Vgs=10V : min 60 A
Drain Source On Resistance at Vgs=10V, Id=30A : max 0.023 Ohm
at 125grdC.: max 0.03 Ohm
Forward Transconductance at Vds=25V, Id=30A : min 15 S
Capacitances at Vds=25V, Vgs=0, f=1MHz:
Input: typ 2900 pF
Output: typ 1500 pF
Reverse Transfer : typ 500 pF
Times at Vdd=30V, Id=30A, Vgen=10V, Rgen=2.5 Ohm, RL=1 Ohm:
On delay : max 40ns
Rise : max 50ns
Off Delay :max 60ns
Fall : max 40ns
Source Drain Diode:
Forward Voltage at 60A : max 2.4 V
Reverse Recovery Time at 60A, max 100ns
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______________________________________ SMP8N50 N-Channel Enhancement MOSFET by SILICONIX TO220, Gate(left) - Drain=Tab - Source Absolute Maximum Ratings: Vds = 500V Vgs = +/- 20 V Id = 8 A (at 100 grdC Id max = 5A) Id pulsed = 32 A Avalanche Current = 8 A Repetitive Avalanche Energy at duty cycle=1%, L = 1mH : 32 mJ Power Dissipation 125 W ( at 100 grdC = 50W) Operating Temp: -55 to 150 grd C Thermal Resistance Junction to Case = max 1 K/W Characteristics: Gate Threshold Voltage at Id = 1mA : 2 to 4 V Drain Source On-State Resistance at Vgs=10V, Id=4A : typ 0.6, max 0.85 Ohm Forward Transconductance at Vds=15V, Id=4A : min 4 S Capacitances at Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz : Input : typ 1360 pF Output: typ 300 pF Reverse : typ 80 pF Times at Vd = 250V, RL=31Ohm, Vgen=10V, Rgen=4.7Ohm: Turn On : max 35 ns Rise : max 25 ns Turn Off : max 90 ns Fall : max 30 ns Source Drain Antiparallel Diode Forward Voltage at Is=8A : max 2V Reverse Recovery Time at If=8A, dIf/dt=100A/us, Vd=250V: max 250 ns ______________________________________
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SMW60N10 N- Channel Enhancement Power MOSFET
SILICONIX
TO247 (~ TO3-P) Gate(left) - Drain - Source
Absolute Maximum Ratings :
Vdss = 100V
Vgs = +/- 20 V
Id continuous : 60 A
at 100 grdC. : 37 A
Source Drain Diode : 60 A
Id pulsed : 240 A
Source Drain Diode : 240 A
Avalanche Energy at L=0.3 mH : 540 mJ
repetitive at L=0.02 mH : 36 mJ
Pd = 180 W (at 100 grdC.: 70W )
Tj = Tstg = -55 to 150 grdC.
Thermal Resistance Junction to Case : max 0.7 K/W
Characteristics:
Id(on) at Vds=5V, Vgs=10V : min 60A
R ds(on) at Vgs=10V, Id=37A : max 0.025 Ohm
at 125 grdC.: min 0.045 Ohm
Forward Transconductance at Vds=10V, Id=37A : min 20 S
Source Drain Diode Forward Voltage at 60A : max 2.5 V
Reverse Recovery Time : 125 ns
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______________________________________ ST 1.5 KE... Transient Voltage Suppressor Das ST deutet auf den Zweit- Hersteller SGS-THOMSON hin. Die 1.5KE- Serie von General Instruments enthält Transient Voltage Suppressor Dioden, eine Art Leitungs-Zenerdioden, für sehr viele verschiedene Durchbruchsspannungen. In meinem Buch von 1992 geht die Reihe bis 1.5KE400 mit einer Breakdown Voltage at I=1mA : 380 to 420V Die übrigen Daten: Peak Power Dissipation at 25 grdC , Tp=1msec: 1500W ! Steady State Power Diss. at T lead= 75grdC, Lead Lengts=9.5mm: Pd = 5 W Am Ende der Drähte sind dabei größere kupferkaschierte Leiter- plattenflächen vorausgesetzt. Maximum Reverse Surge Current: 4A Gilt für einen Impuls, der in 10us hochschnellt und dann alle 1ms auf die Hälfte absinkt. Damit werden in einem Netz vorkommenden induktiv erzeugten Schaltspitzen simuliert. Die dabei anstehende Spannung ist beim 400V-Typ auf maximal 548V spezifiziert. Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine Wave superimposed on Rated Load: Ifsm= 200 A Temperature: -65 to 175 grdC Die Ruhespannung am Bauteil, damit es sicher gesperrt bleibt, ist beim 400er auf 342V festgelegt. Alle Werte gelten meines Wissens nur bei Betrieb in Sperrrichtung, also wie bei einer Zenerdiode. Werte für die Durchlassrichtung habe ich nicht gefunden. ______________________________________
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