Semiconductor- Types O... (without ICs)

OA 200  Silizium Allzweck Flächendiode 
  im DO7- Glasgehäuse
Leider hat das Valvo Datenblatt von 1966 aus meiner 
Sammlung keine Diagramme, sondern nur einige Daten:

Absolute Grenzwerte:
Sperrspannung : 50 V
Durchlaßstrom bei 25 grdC.: 160mA, bei 125 grdC.: 48mA
   Scheitelwert b.25 grdC.: 250mA, bei 125 grdC.:125mA
Temperatur: -55 bis 125 grdC.

Wärmewiderst. sperrschicht zu Umgebung max 0.4 grd/mW

Kennwerte:
Durchlaßspannung bei 25 grdC.:
  bei If=0.1mA : typ 0.52 V, max 0.62 V
  bei If=10 mA : typ 0.8 V , max 0.96 V
  bei If=30 mA : typ 0.9 V , max 1.15 V
Durchlaßspannung bei 125 grdC.:
  bei If=0.1mA : typ 0.3 V,
  bei If=10 mA : typ 0.65 V,
  bei If=30 mA : typ 0.8 V ,
Sperrstrom bei Ur=50V , 25 grdC.: typ 0.02 uA, max 0.1 uA
  bei 125 grdC.: typ 1 uA, max 10 uA
Kapazität bei Ur=0.75 V, f=500kHz : typ 10pF, max 25 pF
Dynamische Kennwerte: Beim Umschalten von If=5mA auf Ur=5V ist
  nach 3.5 us : Ir = 1.2 mA
  nach 10 us :  Ir = 35 uA
  Beim Umschalten von If=30mA auf Ur=35V ist
  nach 3.5 us : Ir = 4 mA
  nach 10 us : Ir = 230 uA

Das ist alles. Nicht viel, aber aussagekräftiger als manches 
Diagramm bei amerikanischen Herstellern! Ich habe diese wohl 
erste Siliziumdiode aus deutscher Produktion auch im Valvo 
Röhrenbuch 1959 gefunden, allerdings mit noch weniger Daten. 
Im 1956er Buch sind nur einige frühe Germaniumdioden, leider 
alle ohne Kurven.
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Alle Angaben ohne Garantie. Fehler beim Abschreiben sind möglich. Wenn Sie seltsame Werte entdecken, scheuen Sie sich nicht, per email nachzufragen!

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