AA112 Germanium- Diode für niederohmige Demodulatoren Grenzwerte: Sperrspannung : 15 V Spitzensp. : 20 V Stoßsp max 1 sec : 25 V Richtstrom : 10 mA Spitzenstrom : 20 mA Stoßstrom max 1 sec : 30 mA Verlustleistung bei 45 grdC.: 80 mW Meßwerte: Durchlaßstrom bei Ud=1V : min 6 mA, typ 10 mA Sperrstrom bei Ud=-10V : typ 15 uA, max 40 uA Gehäusekapazität 0.5 pF Das Datenblatt von Telefunken hat einige Kurven für den Toleranzbereich der Durchlass- und Sperrkennlinie, die Temperaturabhängigkeit und den Diodenwiderstand. __________________________________
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AA119 Germanium- Diode für hochohmige Demodulatoren Grenzdaten: Sperrspannung : 30 V Spitzensp. : 45 V Richtstrom bei Ur=30V für 50 ms : 10 mA bei Ur=0 für 50 ms : 35 mA Spitzenstrom : 100 mA Stoßstrom : 200 mA Tu = -55 bis 75 grdC. Kenndaten: Durchlaßspannung für If = 0.1 mA : 0.23 V für If = 10 mA : 1.5 V für If = 30 mA : typ 2.8V, max 4 V Sperrstrom bei Ur=45 V : typ 90 uA, max 350 uA _____________________________________
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AA117 Germanium Spitzendiode (vom SIEMENS Datenblatt) Grenzdaten: bei Umgebung = 25 grdC. 75 grdC. Sperrspannung 90 V 75 V Spitzensperrsp. 115 V 100 V Richtstrom bei Ur=115V : 15 mA 5 mA max 50ms bei Ur=0 : 50 mA 17 mA Spitzenstrom : 150 mA 150 mA Stoßstrom : 500 mA 500 mA Umgebungstemp : -55 bis 75 grdC. Kenndaten bei 25 grdC. Durchlaßspannung bei If=0,1 mA : 0,18 V bei 10 mA : 1.2 V bei 30 mA : 2,1 V , max 3,3 V Sperrstrom bei Ur=1,5 V : 3,5 uA bei 10V : 4 uA bei 75V : 40 uA bei 100V : 80 uA, max 280 uA Weil diese Diode wohl nicht für Hochfrequenz gedacht war, fehlen alle Angaben über Kapazität, Güte usw. Das Datenblatt enthält noch vier Diagramme: Die Durchlaßkennlinien für 25 und 60 grdC., die Sperrkennlinie dito und ein Diagramm für zulässigen Richtstrom über Spitzenspannung, wo man die obigen Werte wiederfindet (auch bei Ur=0). __________________________________
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AAZ15 Golddraht Germaniumdiode From a VALVO datasheet in german language: Maximum Ratings : Vr average : 75 V Vr peak : 100 V Vr max 1 sec : 115 V Id average, max 20ms : 140 mA Id peak : 250 mA Id max 1s : 500 mATj : 85 grdC. Tstg : -65 to 85 grdC. Thermal Resistance Junction to Ambient: max 0.55 grdC./mW Characteristics: Vf at If=0.1mA : max 0.2 V at If=10mA : max 0.45 V at If=250mA : max 1.1 V Ir at Vr=1.5V : max 2.5 uA at Vr=100V : max 100 uA Small Sign. Capacitance at Vr=1V, f=1MHz : max 2 pF (Sperrverzugsladung beim Umschalten von:) Qs at If=10mA ; Vr=10V, R= 1 kOhm : max 1,8 nA sec (Sperrverzögerungszeit) t rr at the same conds.: typ 350 ns The datasheet has no dynamic diagrams. _________________________________
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AC121 PNP Germanium Transistor Minuszeichen weggelassen: Grenzwerte: Vceo = 20 V Vcbo = 20 V Vebo = 10 V Ic = 300 mA Ib = 60 mA P total = 900 mW Tjunction = 90 grdC. Lagertemperatur : -55 bis 75 grdC. Wärmewiderst. Junction-Case : max 50 K/W Kennwerte: Vce(sat) (Ic=100mA, B=20) : typ 0.11 V, max 0.3 V Statische Stromverstärkung (Ic=100mA / 300mA, Vce=0.5V) Gruppen: IV : 30...60 / typ 35 V : 50...100 / typ 58 VI : 75...150 / typ 86 VII: 125...250 / typ 148 Vbe (Ic=100mA, Vce=0.5V) : typ 0.32 V, max 0.55 V Grenzfrequenz (Ic=20mA, Vce=5V) : typ 17 kHz Transitfrequenz : typ 1.5 MHz Basis Bahnwiderstand typ 60 Ohm Coll.Basis Kapazität (Vcbe=5V) : typ 25 pF, max 40 pF _____________________________________
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AC128 Germanium PNP NF Endstufen Transistor
(Komplementär zu AC127)
Anschlüsse von unten:
B
E C - hier ist außen ein Farbpunkt
( nicht beim K-Typ im viereckigen
Gehäuse mit Loch)
Grenzwerte:
-Vcbo = 32 V
-Vcer (Rbe=<500 Ohm) : 32 V
-Vebo = 10 V
-Ic = 1 A Mittelwert
-Icm = 2 A Scheitelwert
-Ib = 40 mA
Ptot = 1 W
Tj = 90 grdC.
Tstg = -55...100 grdC.
Wärmewiderstand Sperrschicht zu Gehäuse : max 40 grd/W
Kennwerte:
Gleichstromverstärkung bei Vcb=0,
bei Ie=300mA : min 60, typ 90, max 175
bei Ie=1A : min 45, typ 80, max 165
-Vce(sat) bei -Ic=1A : max 0.6 V
-Vbe bei Ie=300mA : max 450 mV
Transitfrequenz bei -Ucb=2V, Ie=10mA :min 1 MHz, typ 1.5 MHz
Kollektorkapazität bei -Vcb=5V, Ie=0 : typ 100 pF
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AEY31 Germanium x-Band Detektordiode Datenblatt von Valvo von 1971: Grenzwerte: Temperaturbereich : -55 bis 100 grdC. ( keine Angaben über Sperrspannung und Verlustleistung ) Kennwerte bei 25 grdC.: Durchlassstrom bei Uf=0.3V : typ 12 mA Sperrstrom bei Ur=0.3C (soll wohl -0.3V heissen) : typ 100 uA Tangetial-Empfindlichkeit ohne Vorspannung bei f=9,375 GHz,ZF-Bandbreite=1 MHz: St = 53 dB (-A -Typ 50dB ) ZF- Impedanz ohne Vorsp. bei Ui<=1mV : Zzf = 300 Ohm Gewinn bei f=9,375 GHz : min 120, ( A- Typ: min 50 ) ( Gewinn ist das Produkt aus Empfindlichkeit in uA/uW und der Quadratwurzel aus der ZF-Impedanz in Ohm) Welligkeitsfaktor bei Pi<=1 mW : s <= 5 Betriebswerte als Mischer mit ZF = 45 MHz, I o = 1 mA : ZF- Impedanz : typ 130 Ohm Welligkeitsfaktor bei f= 1...18 GHz, Z o = 50 Ohm : s <= 2.5 Rauschzahl bei F ZF 1.5 dB, P osz = 200 uW : bei f = 9,375 GHz : typ 9 dB bei f = 16,5 GHz : typ 9,5 dB bei f = 9,375 GHz, f ZF = 3 kHz, F ZF = 2 dB : typ 18 dB ________________________________________
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APT601R3Kn N-Channel enhancement MOSFET TO 220 case (Gate left, source r.) Maximum Ratings: Vdss = max 600V Id continuous = max 6,5 A Id pulsed = max 26 A Vgs max = + - 30V Total Power Dissipation at 25 grdC. : max 125 Watts Thermal Resistance Junction to Case: max 1 grd/W Junction to Ambient : max 89 grd/W Static: Id(on) at Vgs=10V, pulse test = min 4,7 A Gate threshold voltage at Id=1mA : min 2 V, max 4 V Rds(on) at Vgs=10V : max 1,3 Ohm Dynamic: Capacitances at Vgs=0V, Vds=25V : Input : max 950 pF Output : max 214 pF Reverse: max 81 pF Times at Rg=1.8 Ohm, Id=6,5A, Vgs=15V: Turn on Delai : max 20ns Rise : max 22 ns Turn off delai : max 47ns fall : max 20 ns Source Drain Diode: Is : max 6,5 A pulsed : max 26 A Forward Voltage at Id=6,5A Vgs=0V : max 1,3 V reverse recovery time at Id=6,5A at dIs/dt = 100A/usec : 130... 520 ns __________________________________________
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AT31625 4.8V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor ___C___ | | |o______| E B E Absolute maximum ratings : Vebo = 1.4 V ( Ie =0.2mA ) Vcbo = 16 V ( Ic = 1 mA ) Vceo = 9.5 V ( Ic = 5 mA ) Ic = 320 mA Pt = 1 W, derate 15.4 mW/grdC. for Tc>85 grdC. Tj = 150 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Specifications at 25 grdC., 900MHz, Vce=4.8V, Icq=5mA, matching input and output to 50 Ohm.: Pout at Pin=+19dBm : min +27 dBm, typ +28 dBm Coll.Effic. : min 55%, typ 70% IMD3 at 899MHz/901MHz, each tone Pout=+21dBm : typ -31 dBc Mismatch Tolerance, No damage 2 sec duration any phase, Pout=28dBm: max 7:1 Forward Current Transfer Ratio at Vce=3V, Ic=180mA : min 80, typ 150, max 330 The 8 page Hewlett Packard datasheet has spice Model and S-Parameters and test board layouts. ______________________________________
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ATF13484, from the datasheet in the Hewlett Packard databook Communications 1993. 1-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET, schottky Barrier Gate Mini plastic X- case, 2.15 mm diameter The cutted lead is Gate, opposite drain, the other leads source. Absolute maximum ratings: Vds = 5 V Vgs = - 4 V Id = 90 mA (max = Idss) Pt = 225 mW Tchannel = 175 grdC. Tstg = -65 to 150 grdC. Specifications at 25 grdC.: Optimum Noise Figure at Vds=2.5V,Ids=15 - 30 mA : at 4 GHz : typ 1 dB, max 1.2 dB at 12 GHz : typ 2 dB Associated Gain at 4 GHz : min 12 dB, typ 14 dB at 12 GHz : typ 7.5 dB Output Power at 1 dB compression, Vds=4V, Ids=40mA : at 4 GHz : typ 18 dBm Transconductance at Vds=2.5V, Vgs=0 : min 25, typ 55 mmho Idss at Vds=2.5V : min 40 mA, typ 50 mA, max 90 mA Pitchoff Voltage at Vds=2.5V, Ids=1mA : min -4V, typ -1.5V, max -0.5V The datasheet has diagrams and tables for Noise parameters at 20mA, and S-parameters for 20mA and 40mA, until 18 GHz. ______________________________________
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