Bei 3N... denkt man zuerst an Dual Gate MOSFETs. Aber so sind auch viele andere amerikanische Halbleiterbauteile benummert worden, z.B. Single Gate MOSFETs mit extra herausgeführtem Substratanschluß, Thyristoren, Doppel-FETs, und eben auch einige Chopper- Transistoren mit 4 Anschlüssen.
Auf diese Typen in meiner Datenblättersammlung bin ich erst durch mehrere Anfragen aufmerksam geworden. Ohne großen Erfolg versuchte ich, die Besonderheiten zu ergründen. Warum heißt der eine Anschluß Collector, obwohl er wie ein Emitter Strom zur Basis schickt? Leider sind die Datenblätter recht kurz. Sie enthalten keine Anwendungsbeispiele. Wer kann mir da helfen? Obwohl die Teile längst in Vergessenheit geraten sind, seit es für alles optimierte ICs gibt, möchte ich ergründen, was man sich damals dabei gedacht hat. Wer kennt Litheraturstellen dazu? Oder hat jemand noch Musterexemplare oder kennt Quellen?
Bei Sprague heißen die Typen DUET Dual Emitter SEPT Transistor, bei Teldyne Crystalonics heißen entsprechende andere Typen Silicon Epitaxial Junction Integrated Chopper Transistors
Zuerst das ausführlichste der vorliegenden Datenblätter: TELEDYNE CRYSTALONICS 3N134...136
ELECTRICAL DATA ABSOLUTE MAXIMUM RATING
| PARAMETER | SYMBOL | 3N134 | 3N135 | 3N136 | UNITS |
|---|---|---|---|---|---|
| Collector to Base Voltage | BVcbo | -20 | -40 | -60 | Volts |
| Emitter (1) to Base Voltage | BVe1bo | -15 | -30 | -50 | Volts |
| Emitter (2) to Base Voltage | BVe2bo | -15 | -30 | -50 | Volts |
| Emitter to Emitter Voltage | BVe1e2o | 15 | 30 | 50 | Volts |
| Emitter (1) to Collector Voltage | BVe1co | 15 | 30 | 50 | Volts |
| Emitter (2) to Collector Voltage>/td> | BVe2co | 15 | 30 | 50 | Volts |
| Power Diss. at 25°C Ambient | Po | 300 ( Derating 1.7mW/°C) | mW | ||
| Junction Temp. (Oper. & Store) | TJ | -65°C to +200°C | |||
| Lead Temp. (@ 1/16" from Case) | TL | 240°C for 10 sec. | |||
CHARACTERISTICS: TA=25°C (UNLESS OTHERWISE STATED) 3N134 - 3N136
| Parameter | Symbol | Condition | typ. | max. | Units |
|---|---|---|---|---|---|
| OffsetVoltage at Ib=1mA | Ve1e2o | TA = -25°C/+25°C/+85°C | 50 | 100 | uV |
| OffsetVoltage Change | /\ Ve1e2o | /\ I b= 0.5 to 1.5 mA | 10 | 25 | uV |
| Saturation Resistance | re1e2 (sat) | Ib=1mA, Iee= 0, Ie = 0.1 mA, f=1kHz | 10 | 15 | Ohm |
| Collector Cutoff Current | Icbo | Vcb = Vcbmax | 6.0 | 10.0 | nA |
| Emitter Cutoff Current | Ie1bo,Ie2bo | Veb = Vebmax | 5.0 | 10.0 | nA |
| Emitter Cutoff Current | Ie1e2o | Vee=Veemax, Vcb=0 (shorted) | 2.0 | 5.0 | nA |
| Emitter Cutoff Current | Ie1e2o | Vee=Veemax, Temp.=100°C | 0.5 | 1.0 | uA |
| E. to Base Capacitance | Ce1b,Ce2b | Veb=5V, lc=0, f=159kHz | 3.0 | 6 | pfd |
| E. to E. Capacitance | Ce1e2 | Vee=5V, Ic=0, f=159kHz | 2.0 | 5 | pfd |
| Collector Base Cap. | Cob | Vcb= 5V, Ic = 0, f =159 kHz | 7.0 | 12 | pfd |
Von Teledyne Crystalonics liegt außerdem ein Datenblatt der Typen 3N129...3N133 vor. Diese haben Werte in derselben Größenordnung und sind gestaffelt nach ihren zulässigen Spannungen von 20V bis 60V.
Von SPRAGUE aus den Jahren 1964 bis 1966 liegen Datenblätter für folgende Typen vor:
Ve1e2 Ie1 Ic Re1e2 Offset
Ve2e1 Vcbo Ie2 Ib 1) Volt.2) fT
max max max max min max max min typ
3N90 30 V 30 V 10 mA 20 mA 10 100 Ohm 50 uV 6 12 MHz
3N91 30 V 30 V 10 mA 20 mA 10 100 Ohm 100 uV 6 12 MHz
3N92 30 V 30 V 10 mA 20 mA 10 100 Ohm 200 uV 6 12 MHz
3N93 50 V 50 V 10 mA 20 mA 10 75 Ohm 50 uV 6 12 MHz
3N94 50 V 50 V 10 mA 20 mA 10 75 Ohm 100 uV 6 12 MHz
3N95 50 V 50 V 10 mA 20 mA 10 100 Ohm 200 uV 6 12 MHz
3N114 12 V 30 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 50 uV 12 MHz
3N115 12 V 30 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 100 uV 12 MHz
3N116 12 V 30 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 200 uV 12 MHz
3N117 20 V 50 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 50 uV 12 MHz
3N118 20 V 50 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 100 uV 12 MHz
3N119 20 V 50 V 10 mA 20 mA 50 Ohm 200 uV 12 MHz
3N123 25 V 30 V 10 mA 20 mA 10 100 Ohm 250 uV 6 15 MHz
1)Series Resistance Re1e2 at Ib=-1mA, Ie1=Ie2=100 uA (Figure 2)
2)Offset Voltage at Ib=-1mA, Ie1=Ie2=0, TA = -25°C/25°C/100°C (Fig.1)
Nachtrag: Ich habe in einem RCA- Datenbuch von 1962 eine kurze Notiz zu einem damals schon abgekündigten Dual Emitter Transistor gefunden:
RCA 3746
(discontinued ) : Germanium PNP type
with two emitters used in a wide variety of applications requiring
control of an output current by signals from two sources. It is used in
mixer- oscillator circuits in superheterodyne receivers, mixer
amplifier circuits, and switching circuits.
Maximum Ratings: Collector to Base Voltage: -34 V
Collector Current: -20 mA
Transistor Dissipation: 80 mW
Ambient Temperature Range ( operating ) : -65 to 71 grdC.
JEDEC No. TO-44 package, center pin = Emitter 2.
Bottom view: B
E1 E2 C
Achtung! Dies sind nicht die Originaldatenblätter der Hersteller, sondern Zusammenfassungen, Übersetzungen, Vereinfachungen und Erklärungen, also Interpretationen ohne Garantie für Richtigkeit. Dies ist bei der Verwendung zu beachten! Wer die Informationen beruflich braucht, sollte sich eine Kopie der Datenblätter bestellen.
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Stand 30.03.03